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■イオン注入装置
■メーカー名：フジ・インパック株式会社
■型式：MK120-S
■設置場所：香川大学工学部相貌研究棟６階（クリーンルーム）
■香川大学微細構造デバイス統合研究センターは、シリコン等を素材とする各種のマイクロセンサ・アクチュエータを実現する製造プロセス・評価装置一式を備えたワンストップ型の研究開発組織です。
とくに、平成２６年度より稼働開始したイオン注入装置はシリコンの電気物性を自在にコントロール可能とする不純物注入制御を高精度に実施することが可能です。
本設備を利用可能な研究機関は日本でも数少なく，本センターのMEMS研究開発設備の大きな特徴の一つとなっています。
本装置も企業，研究機関等の皆様に公開して利用していただいております。
ご利用を希望される方、お問い合わせされる方はこちらをクリックしてください。
■標準利用条件：
・試料（基板）：シリコン（サイズ：４インチウエハ、又は、４インチウエハの１／４）
・ドーパント：ボロン（B)、リン(P)、シリコン(Si）
・加速電圧／電流：80kV／0.15mA
・ドーズ量：1e-12〜5e-12
・イオン注入時間：30〜100sec
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■他装置については、こちらをクリックしてください。
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